新华网北京5月20日电（谷雨）5月20日，2019全国科技活动周暨北京科技周活动在中国人民革命军事博物馆举办。近300项人工智能、集成电路、航空航天、智能设备、前沿材料等领域科技创新成果、科普展项和互动体验产品等集中展示。

目前，以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表的第三代化合物半导体受到的关注度越来越高，它们在未来的大功率、高温、高压应用场合将发挥传统的硅器件无法实现的作用。特别是在未来三大新兴应用领域(汽车、5G和物联网)之一的汽车方面，会有非常广阔的发展前景。

如何让电动汽车更受欢迎？减轻电力电子系统的重量不失为一个好方法。

说到晶体，我们谈论的是用于电子/光子技术平台研究、开发和服务的真正大体积晶体，莱布尼兹研究所F_r Kristallz_chtung（ikz）是第一个停靠港。在这里，从一个非常热的熔融体，他们生长同位素纯硅晶体到2升瓶大小，用于特殊用途（例如新标准千克），并开发出精炼和新的方法，以单晶体形式生产锡、锌和铟等金属的导电氧化物。

美国纽约州立大学布法罗分校研制出击穿电压达到1850V的氧化镓晶体管，有望在改善电动汽车，太阳能和其他形式可再生能源方面发挥关键作用，如可使电动汽车提高能量输出的同时，保持车身的轻量化和流线化设计。研究成果发表在《IEEE电子器件快报》9月刊。