氧化镓单晶

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       氧化镓，禁带宽度为4.2-5.3 eV，是一种极具前景的超宽禁带氧化物半导体材料。其击穿电场强度高达8 MV/cm，是Si的近27倍、SiC及GaN的2倍以上，巴利加优值分别是SiC、GaN的10倍、4倍以上，是制造超高功率半导体元器件的优良选择，同时在制造相同耐压的功率元件时，元件的损耗极低。是未来深紫外光电子器件、高功率器件、高频通信器件等器件制造的关键材料之一。

       铭镓半导体专注于氧化镓相关的晶体生长与加工技术、外延薄膜生长技术、掺杂物性调控技术以及光电器件设计与制备技术等方面的研发。获得多项拥有自主知识产权的核心专利，填补了国内相关领域的技术空白。铭镓半导体目前已经申请通过国家专利37项，保持在氧化镓超宽禁带半导体技术方面的领先优势。

氧化镓单晶衬底规格参数表

氧化镓单晶生长/衬底加工技术

        2013年起，公司技术团队成员开展导模法晶体生长研发工作，通过对挥发控制、模具设计、工艺改进等方式，克服了生长过程中的过量挥发，放肩失稳，多晶开裂等问题，重点攻克市场需求急迫，但生长困难的(001)和(010)晶向衬底。

       氧化镓单晶衬底的加工质量直接影响外延薄膜的生长，所以衬底加工技术路线的选择要适合氧化镓单晶的加工特性和外延薄膜生长技术的需求。

       铭镓半导体以氧化镓特殊的加工工艺为基础，提供定向，滚圆，切割，研磨，抛光清洗等一体化晶体加工服务。