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氧化镓外延片

       MOCVD是Ⅲ族、Ⅱ族元素的有机化合物和Ⅴ、Ⅵ族元素的氰化物等作为晶体生长源材料，以热分解反应方式在衬底上进行气相外延每升涨各种Ⅲ-Ⅴ主族、Ⅱ-Ⅵ副族化合物半导体，以及他们的多远固溶体的薄层单晶材料的生长方法。

       铭镓半导体研发团队针对650V/2A-100A、1200V/2A-50A、1700V/5A-20A规格的氧化镓肖特基二极管和各种射频器件设计与研发，已成功制作出不同导电类型的同质外延/异质外延片